[发明专利]存储器器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202110537191.5 | 申请日： | 2021-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN113488504A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 吴昭谊;林佑明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了一种存储器器件及其形成方法。该存储器器件包括设置在衬底上方的第一存储器单元。第一存储器单元包括晶体管和耦接到该晶体管的数据存储结构。该晶体管包括：栅极柱结构、在栅极柱结构周围横向包裹的沟道层、围绕沟道层的源电极和围绕沟道层的漏电极。介电层将漏电极与源电极之间隔开。数据存储结构包括围绕沟道层并夹在第一电极和第二电极之间的数据存储层。晶体管的漏电极和数据存储结构的第一电极共享公共导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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