[发明专利]半导体材料、场效应晶体管器件、双极性半导体及应用有效
| 申请号： | 202110535594.6 | 申请日： | 2021-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN113264933B | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 麻鲁鲁;张春奇;刘逸非;陈建汉;卢金存;刘意;曲逸飞 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | C07D471/06 | 分类号： | C07D471/06;C09K11/06;H01L51/30;H01L51/05;A61K49/00;G01N21/64 |
| 代理公司： | 深圳至诚化育知识产权代理事务所(普通合伙) 44728 | 代理人： | 刘英 |
| 地址： | 250022 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： |
本发明属于双极性半导体技术领域，公开了半导体材料、场效应晶体管器件、双极性半导体及应用，本发明的半导体材料为具有近距离的强π‑π作用的交叉偶极式分子堆积方式形成的晶体材料；晶体材料由经化学修饰后具有给、受体结构的D‑A‑D型分子AzoO |
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| 搜索关键词： | 半导体材料 场效应 晶体管 器件 极性 半导体 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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