[发明专利]一种高质量单晶氮化铝薄膜及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202110529082.9 | 申请日： | 2021-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN113463199B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 广州市艾佛光通科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C23C16/06;C23C16/24;C23C16/40;C23C16/50;C30B23/00;C30B23/02;C30B29/68;H01L41/18;H01L41/316;H01L41/39 |
| 代理公司： | 广州容大知识产权代理事务所(普通合伙) 44326 | 代理人： | 刘新年 |
| 地址： | 510000 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种高质量单晶氮化铝薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括在第一基板上依次生长单晶氧化锌薄膜、单晶氮化铝成核层、单晶氮化铝薄膜；然后在单晶氮化铝薄膜上沉积键合层；将第二基板与键合层键合；最后去除第一基板和氧化锌薄膜。本发明通过生长氧化锌薄膜，降低了氮化铝薄膜与基板之间的晶格失配。采用PLD沉积法，沉积温度低，降低了薄膜制备过程由于热效应造成的缺陷，从而提高了氮化铝薄膜的晶体质量。本发明制备的氮化铝薄膜上方有一层氮化铝薄膜，其可以继续生长氮化铝薄膜，从而控制氮化铝薄膜的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 质量 氮化 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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