[发明专利]一种在薄膜电路中集成薄膜电容器的方法在审
| 申请号: | 202110529027.X | 申请日: | 2021-05-14 |
| 公开(公告)号: | CN113284885A | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
| 发明(设计)人: | 杨俊锋;郭洽丰;刘宇鹏;赖辉信;丁明建;冯毅龙 | 申请(专利权)人: | 广州天极电子科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/01 | 分类号: | H01L27/01;H01G4/18;H01G4/33 |
| 代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 刘凤玲 |
| 地址: | 511400 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明涉及一种在薄膜电路中集成薄膜电容器的方法,包括:在薄膜电路基片表面沉积金属薄膜;在金属薄膜中加工出薄膜电路图形,包括起下电极作用的金属微带线;在薄膜电路图形表面依次涂布聚酰亚胺薄膜和正性光刻胶;对正性光刻胶进行曝光、显影,并用丙酮清洗掉表面的正性光刻胶,形成清洗后的第二中间产品;对清洗后的第二中间产品正面溅射金属层,形成上层金属;对上层金属进行光刻、蚀刻,形成上电极;上电极与对应的聚酰亚胺薄膜以及起下电极作用的金属微带线共同构成薄膜电容器。本发明采用聚酰亚胺作为电介质,避免了采用金属氧化物作为电介质时的高温制备过程,避免了高温和酸性刻蚀剂对产品质量的影响,同时简化了制备工艺。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 薄膜 电路 集成 电容器 方法 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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