[发明专利]一种用于TEM/SEM电镜的原位多参数测试芯片结构及制备方法有效
| 申请号： | 202110526897.1 | 申请日： | 2021-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN113203758B | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 聂萌;黄语恒;尹奎波;陈姝宁 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G01N23/04 | 分类号： | G01N23/04;G01N23/2251;G01N3/02;G01R27/08 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 任志艳 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于TEM/SEM电镜的原位多参数测试芯片结构及制备方法，该芯片功能区包括质量块、热沉梁、热执行器、静电执行器、支撑梁和引线梁、样品台、绝缘层、电极引线压焊块和衬底；器件整体呈对称结构，其中热执行器、静电执行器、热沉梁、质量块、支撑梁、引线梁、样品台都是沿质量块为中心轴线对称分布。器件为双驱动结构，驱动结构分别是热执行器和静电执行器，可以进行静‑动态测试结合，由此测试芯片现实如下功能：待测样品电学参数、力学参数的准静态单参数或多参数测试；待测样品平面拉伸下的蠕变、疲劳特性分析；待测样品的疲劳特性与电学参数力学参数之间的耦合关系规律分析，待测样品的可靠性失效分析。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 tem sem 原位 参数 测试 芯片 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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