[发明专利]一种含Si3有效

专利信息
申请号: 202110522516.2 申请日: 2021-05-13
公开(公告)号: CN113200765B 公开(公告)日: 2022-10-25
发明(设计)人: 陈振宇;朱苏华;周娩红 申请(专利权)人: 湖南世鑫新材料有限公司
主分类号: C04B41/89 分类号: C04B41/89;C04B35/573;C04B35/622;C30B29/06;C30B15/10
代理公司: 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 代理人: 赵进
地址: 412007 湖南省株洲市天元区仙*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种含Si3N4和BN复合涂层的碳陶复合材料坩埚及其制备方法,由碳陶坩埚基体依次沉积Si3N4涂层、BN涂层制得。本发明以碳陶坩埚为基体,先在其孔隙和表面(内表面和外表面)沉积Si3N4涂层,然后再沉积BN涂层制得,本发明仅需采用单一坩埚生产单晶硅,通过碳陶坩埚基体、Si3N4涂层和BN涂层三者的协同作用,极大的提升了坩埚的高温稳定性能和抗硅蚀能力,同时坩埚表面对硅的润湿性差,避免了生产单晶硅后的硅晶粘锅难以清理,既延长了坩埚的使用寿命,又减少了坩埚更换频次和提升了单晶硅生产效率。
搜索关键词: 一种 si base sub
【主权项】:
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