[发明专利]一种稳定晶圆级过渡金属硫族化合物的方法、二维材料及其应用在审
| 申请号： | 202110510542.3 | 申请日： | 2021-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN113224134A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 冯晴亮;王肖剑;任思玥;张文斌 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/26;H01L29/78;C23C16/30;C23C14/06;C23C28/04 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 710072 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种稳定晶圆级过渡金属硫族化合物的方法、二维材料及其应用，所述二维材料包括单层过渡金属硫族化合物(TMDs)层以及覆盖在所述过渡金属硫族化合物层表面的硫单质层。本发明提供了一种低成本的普适性方法来固定费米能级以保持其固有特性，即在其表面沉积低k非晶硫材料的超浸润亚纳米层，得到的二维材料在高湿度环境和极性溶液中表现出良好的长期稳定性，同时避免了在集成电路中制造电极的图案光刻造成污染。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 稳定 晶圆级 过渡 金属 化合物 方法 二维 材料 及其 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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