[发明专利]一种射频阵列前端三维集成结构及制作方法有效

专利信息
申请号: 202110510532.X 申请日: 2021-05-11
公开(公告)号: CN113300072B 公开(公告)日: 2022-07-15
发明(设计)人: 卢茜;张剑;曾策;秦跃利;王文博;李阳阳;赵明;叶惠婕;蒋苗苗 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
主分类号: H01Q1/00 分类号: H01Q1/00;H01Q1/22;H01Q1/36;H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q21/06;H05K3/32
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 刘世权
地址: 610036 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种射频阵列前端三维集成结构及制作方法,该结构包括从上至下依次堆叠的天线层、芯片层和电路板层。本发明实现了液冷流道与玻璃天线的一体化集成,射频芯片输出端紧贴天线基板,输入端与射频电路板垂直互连,在降低天线馈电损耗的同时解决了大规模阵列的散热问题。使用板级工艺实现大幅面天线加工以及与射频电路的低剖面三维堆叠,具有低成本优势,满足了高频、大规模阵列高密度集成的应用需求。
搜索关键词: 一种 射频 阵列 前端 三维 集成 结构 制作方法
【主权项】:
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