[发明专利]双渐变沟道氮化镓基垂直结构射频器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202110510164.9 | 申请日： | 2021-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN113270494B | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 郭志友;马建铖;李渊;夏晓宇;谭秀洋;夏凡;张淼;王鹏霖;丁霄;黄志辉 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京清控智云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11919 | 代理人： | 仵乐娟 |
| 地址： | 510630 广东省广州市天*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种双渐变沟道氮化镓基垂直结构射频器件及其制备方法，该垂直型HEMT射频器件通过在第一源极和第二源极之间设置第一GaN层、第一Al组分渐变沟道层、第二GaN层、第二Al组分渐变沟道层依次层叠的结构，在垂直结构中形成了三维电子气，调节了电场的分布，从而提高击穿电压和截止频率。且该垂直HEMT器件主要通过器件内部的PN结来承受耐压，有效降低了缓冲层漏电的问题，使栅极附近的GaN区域不会形成高场区域，避免了因栅极电场集中效应而导致的击穿，并降低了比导通电阻，提升了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 渐变 沟道 氮化 垂直 结构 射频 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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