[发明专利]开关元件、半导体装置、半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202110510096.6 | 申请日： | 2013-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN113224150A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 长谷川滋;森下和博;木谷刚 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L23/64;H01L29/16;H01L29/20;H01L27/06;H01L27/10;H01L29/739;H01L29/78;H01L21/52;H01L21/66;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种开关元件、半导体装置、半导体装置的制造方法。本发明涉及的开关元件的特征在于，具有：衬底；第1栅极焊盘，其形成在该衬底；第2栅极焊盘，其形成在该衬底；第1电阻部，其形成在该衬底，将该第1栅极焊盘与该第2栅极焊盘连接；以及单元区域，其形成在该衬底，与该第1栅极焊盘连接。由此，在完成栅极电阻内置型的开关元件之后，能够进行该开关元件的栅极电阻值的测量和栅极电阻的选择。 | ||
| 搜索关键词： | 开关 元件 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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