[发明专利]双绝缘体上硅器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110504675.X | 申请日： | 2021-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN115332309A | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 梁志彬;张松;金炎;王德进;李小红;刘群;过夏雨 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/822;H01L29/423 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 虞凌霄 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种双绝缘体上硅器件及其制造方法，所述双绝缘体上硅器件包括：衬底；第二绝缘埋层，设于所述衬底上；第二半导体层，设于所述第二绝缘埋层上；第一绝缘埋层，设于所述第二半导体层上；第一半导体层，设于所述第一绝缘埋层上，所述第一半导体层包括有源区；栅极，设于所述第一半导体层上；所述双绝缘体上硅器件形成有凹陷至所述第二半导体层的第一背栅凹陷区，和凹陷至所述衬底的第二背栅凹陷区；在所述第一背栅凹陷区，所述第二半导体层通过顶部引出作为第一背栅端；在所述第二背栅凹陷区，所述衬底通过顶部引出作为第二背栅端。本发明器件的设计灵活性更强，可以根据设计需要施加不同的背偏电压，以达到优化器件的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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