[发明专利]制备半导体的方法有效
| 申请号： | 202110503294.X | 申请日： | 2021-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN112992673B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 浦栋;惠利省;杨国文 | 申请（专利权）人： | 度亘激光技术（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 孙海杰 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制备半导体的方法，涉及半导体结构制备技术领域，包括：在基板的上表面形成正性光刻胶层；利用第一掩模结构对正性光刻胶层进行曝光，在正性光刻胶层的曝光区域形成多个间隔的第一倒梯形结构，相邻两个第一倒梯形结构之间的非曝光区域形成第一正梯形结构；在正性光刻胶层上方形成负性光刻胶层；利用第二掩模结构对负性光刻胶层进行曝光，在负性光刻胶层的曝光区域形成第二倒梯形结构；对正性光刻胶层和负性光刻胶层显影，在基板上形成多个由第一正梯形结构和第二倒梯形结构堆叠而成的光刻胶柱；对基板的上表面一侧进行电子束蒸镀金属；沿第二倒梯形结构的两条腰的倾斜方向分别对第一正梯形结构同侧的两条腰进行等离子体处理。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 半导体 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
