[发明专利]一种多孔硅气敏传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 202110501819.6 | 申请日： | 2021-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN113252737B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 姜卫粉;张天杰;宋晓燕;张巧丽;高海燕;贾敏;杨晓辉;王玉生;杨大鹏;罗世钧 | 申请（专利权）人： | 华北水利水电大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人： | 王子龙 |
| 地址： | 450045 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种多孔硅气敏传感器及其制造方法。其中，本发明的多孔硅气敏传感器的多孔硅层处于衬底表面的中部区域，多孔硅层的外围被衬底所包围；多孔硅层从中心向外围分为中部内区域和中部外区域，中部内区域被中部外区域所包围；中部内区域的孔隙密度一致，中部外区域的孔隙密度从内向外逐渐降低，中部内区域的孔隙密度大于中部外区域的孔隙密度；金属栅线电极的内端处于多孔硅层上，金属栅线电极的外端延伸至多孔硅层外围的衬底之上并用于外接；处于多孔硅层上的金属栅线电极的宽度大于处于多孔硅层外围的衬底之上的金属栅线电极的宽度。本发明的多孔硅气敏传感器的栅线不容易断裂，具有较高的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 硅气敏 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华北水利水电大学，未经华北水利水电大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110501819.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有神经元保护功能的富硒蛹虫草活性硒肽及其制备方法和应用
- 下一篇：吸附装置
