[发明专利]基于铁电掺杂的负电容场效应晶体管

摘要

本发明公开了一种基于铁电掺杂的负电容场效应晶体管，主要解决现有器件亚阈值摆幅高及化学掺杂不稳定的问题。其自下而上包括衬底(1)、沟道(2)、栅极绝缘介质层(9)、栅极铁电层(10)、栅极金属电极(11)，沟道两侧为源区(3)和漏区(4)，该源、漏区的上方分别为源极金属电极(12)和漏极金属电极(13)，该源区的左侧依次设有源极铁电层(5)和源极掺杂电极(7)；该漏区的右侧依次设有漏极铁电层(6)和漏极掺杂电极(8)，该源极掺杂电极和漏极掺杂电极上施加有极性相同的脉冲电压。本发明避免了传统掺杂的不稳定性，突破了亚阈值摆幅60mV/decade的限制，降低了器件的功耗，可用于制作大规模集成电路。