[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110492148.1 | 申请日： | 2021-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN113223973A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L27/24;G11C11/409 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 远明 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，该制备方法包括：在存储晶圆上形成存储功能层以及第一键合层，存储功能层包括驱动电路、控制电路以及读写存储阵列，在扩容晶圆上形成扩容存储阵列以及第二键合层，将扩容晶圆翻转，并通过第一键合层及第二键合层将存储晶圆和扩容晶圆进行键合，驱动电路包括用于驱动读写存储阵列的读写驱动电路和用于驱动扩容存储阵列的扩容驱动电路，由于控制电路可同时控制读写驱动电路以及扩容驱动电路，从而有效地解决了因不同存储阵列的驱动电路由不同的控制电路控制，而导致不同存储阵列之间的数据通信较为缓慢的问题，同时，由于读写存储阵列与读写驱动电路形成于同一晶圆上，从而可以更快地对数据进行保存。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
