[发明专利]UV发光二极管在审
| 申请号： | 202110491351.7 | 申请日： | 2016-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113314649A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 朴起延;许政勋;韩釉大;韩建宇 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/04;H01L33/06;H01L33/22;H01L33/32;H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 陈亚男;韩芳 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 这里公开了一种UV发光二极管。该UV发光二极管包括：第一导电型半导体层；第一应力调节层，设置在第一导电型半导体层上，并且包括第一氮化物层和第二氮化物层，其中，第一氮化物层包括Al，第二氮化物层设置在第一氮化物层上并且具有比第一氮化物层的Al组成比低的Al组成比；活性层，设置在第一应力调节层上；以及第二导电型半导体层，设置在活性层上，其中，第一应力调节层包括插入第一氮化物层中的Al增量层，插入Al增量层的第一氮化物层的下表面具有比直接设置在第一氮化物层上的第二氮化物层的下表面的平均拉应力大的平均拉应力。 | ||
| 搜索关键词： | uv 发光二极管 | ||
【主权项】：
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