[发明专利]一种选择性检测分子的硅基反射干涉传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 202110491003.X | 申请日： | 2021-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN113049542A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 吴绍龙;王杰;李刘晶;秦琳玲;张程;李孝峰 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | G01N21/45 | 分类号： | G01N21/45 |
| 代理公司： | 苏州智品专利代理事务所(普通合伙) 32345 | 代理人： | 王利斌 |
| 地址： | 215137 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属光学传感技术领域，提出一种基于反射干涉光谱技术的硅基光学传感器及制备方法，沿着复合光入射方向依次包括有序硅纳米线阵列层、无序多孔硅层、平面硅基底；每根纳米线内部设置有随机分布的纳米孔；无序多孔硅层处于有序硅纳米线阵列层下方，该层设有呈树枝状随机分布的纳米孔。用于反射干涉传感测试时，小分子可以渗透到无序多孔硅层，而目标小分子和干扰大分子可同时渗入有序硅纳米线阵列层；与双层无序多孔硅结构相比，本方案不仅明显增强了待测液的流通性和传感器灵敏度，还降低了响应时间；与单层有序硅纳米线阵列结构或单层无序多孔硅结构相比，具有同时检测目标小分子和干扰大分子的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 选择性 检测 分子 反射 干涉 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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