[发明专利]半导体装置、制造半导体装置的方法以及检查错误的方法在审
| 申请号： | 202110480740.X | 申请日： | 2021-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN114388475A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 金在泽;郑蕙英 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/544;H01L21/66;H01L21/768;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体装置、制造半导体装置的方法以及检查错误的方法。在检查错误的方法中，可以形成下部布线结构。主虚设图案和测试虚设图案可以形成在下部布线结构上。主虚设图案可以包括通孔图案和宽度比通孔图案的宽度更宽的布线图案。测试虚设图案可以与主虚设图案间隔开不小于临界距离。测试虚设图案可以具有与通孔图案的宽度基本相同的宽度。测试虚设图案可以具有与主虚设图案的高度基本相同的高度。然后可以测试测试虚设图案以基于测试虚设图案的错误来预测主虚设图案的错误。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 以及 检查 错误 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110480740.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
