[发明专利]高密度电荷传感器芯片大面阵可容错网络读出装置及方法有效
| 申请号： | 202110478241.7 | 申请日： | 2021-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN113218437B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 肖乐;游必辉 | 申请（专利权）人： | 华中师范大学 |
| 主分类号： | G01D21/00 | 分类号： | G01D21/00 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 鲁力 |
| 地址： | 430079 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种读出装置及方法，尤其是涉及一种高密度电荷传感器芯片大面阵可容错网络读出装置及方法,具体是在高密度电荷传感器芯片面阵中的每个电荷传感器芯片中集成一个数据传输的路由器，每个电荷传感器芯片即是一个数据传输节点，所有数据传输节点构成传输网络，且所有的相邻数据传输节点之间通过印刷电路板上走线连接，位于边界的电荷传感器芯片，也即是数据传输节点为数据传输端或接收端。因此，本发明具有如下优点：通过在临近的电荷传感器间建立本地连接形成一个自组织、可容错的读出网络，可以避免引入额外的放射性物质，同时极大减少了需要引出高压气体时间投影室的电缆数，从而确保放射性纯度和不影响高压气体时间投影室气密性。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 电荷 传感器 芯片 大面 容错 网络 读出 装置 方法 | ||
【主权项】：
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