[发明专利]具有梁结构的压电MEMS硅谐振器及其形成方法、电子设备有效
| 申请号： | 202110477297.0 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN113381717B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 张孟伦;杨清瑞;宫少波 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/02 |
| 代理公司： | 北京汉智嘉成知识产权代理有限公司 11682 | 代理人： | 姜劲;谷惠敏 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提出具有梁结构的压电MEMS硅谐振器及其形成方法，以及一种电子设备。该形成方法包括：提供带下空腔的SOI硅片作为衬底，下空腔的上方具有器件硅层；依次形成下电极、压电层和上电极；刻蚀器件硅层以形成梁结构；在当前半导体结构上形成牺牲层；在牺牲层之上生长封装材料以形成薄膜封装层，然后在薄膜封装层中的梁结构区域上方位置刻蚀通孔；去除梁结构的振动区上方的牺牲层以形成上空腔，并且保留梁结构的固定端上方的牺牲层；再次生长封装材料以封闭通孔；形成贯穿薄膜封装层以及被保留的牺牲层的电连接通孔；在电连接通孔中形成电极连接。该形成方法制得的压电MEMS硅谐振器可长期保持器件高真空度，实现谐振器高的品质因数以及长期稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结构 压电 mems 谐振器 及其 形成 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
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