[发明专利]芯片结构的散热层缺陷失效分析方法在审
| 申请号： | 202110475539.2 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN113376258A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 王苏鸣;曾昭孔;宁福英;卢玉溪 | 申请（专利权）人： | 苏州通富超威半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01N29/09 | 分类号： | G01N29/09;G01N29/44;G01B17/02;G01N23/04 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 郭栋梁 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种芯片结构的散热层缺陷失效分析方法，基于芯片结构的声学图像和三维图像确定散热层的第一厚度及其第一缺陷类型和尺寸；基于芯片结构研磨样品的扫描图像确定散热层的第二厚度及其第二缺陷类型和尺寸；对比所述第一厚度及其第一缺陷类型和尺寸和所述第二厚度及其第二缺陷类型和尺寸，确定分析结果。可以在不破坏芯片结构的情况下测算散热层参数及定性失效模式，同时为后续破坏性分析提供数据对比，使得缺陷失效分析的准确性较高。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 结构 散热 缺陷 失效 分析 方法 | ||
【主权项】：
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