[发明专利]全固态自修复离子导体及其制备方法和离子器件在审
| 申请号： | 202110471976.7 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN113201089A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 朱世平;明小庆;杜家莹;张祺 | 申请（专利权）人： | 香港中文大学（深圳） |
| 主分类号： | C08F220/24 | 分类号： | C08F220/24;C08F220/34;C08F226/06;H01B1/12 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 王闯 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供一种全固态自修复离子导体及其制备方法和离子器件。全固态自修复离子导体的制备方法，将包括偶极单体、离子液体单体和引发剂在内的原料混合，进行聚合反应得到所述全固态自修复离子导体。全固态自修复离子导体，使用所述的制备方法制得。离子器件，其原料包括所述的全固态自修复离子导体。本申请提供的全固态自修复离子导体，透光率高，容易设计成透明器件，可广泛用于光学离子器件领域；完全避免了水凝胶的易挥发、不耐高温等问题和离子凝胶的液体泄露问题，环境稳定性高。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 修复 离子 导体 及其 制备 方法 器件 | ||
【主权项】：
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