[发明专利]一种灰度曝光制备2.5D微纳结构的方法在审

专利信息
申请号: 202110470835.3 申请日: 2021-04-29
公开(公告)号: CN113173559A 公开(公告)日: 2021-07-27
发明(设计)人: 李攀;卢宏;夏金松;李宇航;曾成;郑盼盼 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;G03F7/00
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 祝丹晴
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种灰度曝光制备2.5D微纳结构的方法,属于半导体学中的微观结构技术领域。包括:将2.5D微纳结构的高度分成2N个等级,建立对应的N张二元曝光版图,其中N>I;再获取所述N张二元曝光版图的并集,建立一个额外的补偿版图;在硅片上旋涂光刻胶后进行N+1次分层曝光,获取包含2N种高度的光刻胶层;以光刻胶层作掩膜进行干法刻蚀制备纳米压印模板,通过软膜热固化纳米压印,再加上紫外固化纳米压印的二次转印即可批量生产。本发明的纳米压印模板图形精度高,具有2N个不同高度,且通过软膜转印、纳米压印、干法刻蚀制备的微纳结构效率高、成品率高、尺寸精确。
搜索关键词: 一种 灰度 曝光 制备 2.5 结构 方法
【主权项】:
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