[发明专利]应用于后端工序中的刻蚀方法在审
| 申请号： | 202110467349.6 | 申请日： | 2021-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN113241302A | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 马莉娜;姚道州;肖培 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请公开了一种应用于后端工序中的刻蚀方法，包括：获取前道工序后的薄膜厚度的分布，前道工序是本刻蚀方法之前执行的工序；根据薄膜厚度的分布，确定本次刻蚀的刻蚀条件，在该刻蚀条件下进行刻蚀时，存在至少两个刻蚀区域的刻蚀速率不同；根据本次刻蚀的刻蚀条件进行刻蚀。本申请在半导体器件制作过程中的后端工序中，通过获取前道工序后的薄膜厚度的分布确定本次刻蚀的刻蚀条件，从而解决了由于前道工序的薄膜厚度不均匀所导致的器件可靠性较差的问题，提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 后端 工序 中的 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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