[发明专利]半导体封装件及其形成方法在审
| 申请号： | 202110466169.6 | 申请日： | 2021-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN113363162A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 余振华;余国宠 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 方法包括：在第一芯片的前侧上形成集成电路；对该第一芯片执行背侧研磨以露出该第一芯片中的多个导通孔；以及使用镶嵌工艺在该第一芯片的背侧上形成第一桥式结构。该桥式结构具有第一接合焊盘、第二接合焊盘以及将该第一接合焊盘电连接到该第二接合焊盘的导电迹线。该方法还包括通过面对背接合将第二芯片和第三芯片接合到该第一芯片。该第二芯片的第三接合焊盘接合到该第一芯片的该第一接合焊盘。该第三芯片的第四接合焊盘接合到该第一芯片的该第二接合焊盘。本申请的实施例还涉及半导体封装件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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