[发明专利]多层堆叠模组层间互联工艺有效
| 申请号： | 202110464995.7 | 申请日： | 2021-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN113178395B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 冯光建;陈桥波;黄雷;高群 | 申请（专利权）人： | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/48 |
| 代理公司： | 无锡市兴为专利代理事务所(特殊普通合伙) 32517 | 代理人： | 屠志力 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种多层堆叠模组层间互联工艺，包括以下步骤：步骤S1，提供硅片，在硅片的第一表面制作TSV金属柱，并通过钝化层覆盖所述硅片的第一表面和TSV金属柱顶端；步骤S2，在硅片第一表面刻蚀硅凹槽，使TSV金属柱侧壁露出，清洗去除TSV金属柱侧壁的钝化层；步骤S3，采用步骤S1～S2同样方式加工另一块硅片；步骤S4，在两块硅片的第一表面涂布胶或者金属焊料，加热使两层硅片焊接在一起；步骤S5，在两层硅片硅凹槽的TSV金属柱侧面涂布焊锡或者植焊锡球，回流焊使得焊锡融化使两层硅片的TSV金属柱互联；步骤S6，对通过以上工艺堆叠后形成的模组侧面进行抛光和打磨，使得模组侧面焊锡光滑。本发明能够简化工艺难度。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 堆叠 模组 层间互联 工艺 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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