[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110452914.1 | 申请日： | 2021-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN113161244A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 曹光龙;梁栋 | 申请（专利权）人： | 晨宸辰科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/50;H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 李浩 |
| 地址： | 201615 上海市松江区九亭镇*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开提供了一种半导体器件及其制造方法。该制造方法包括：提供第一半导体结构，第一半导体结构包括：第一衬底、在第一衬底上的第一焊盘层和在第一衬底上且露出第一焊盘层的钝化层；形成覆盖钝化层的牺牲层，牺牲层露出第一焊盘层；形成覆盖第一半导体结构的第一接合层，第一接合层包括在第一焊盘层上的金属阻挡层和在金属阻挡层上的抗氧化层；去除牺牲层和第一接合层的位于牺牲层上的一部分，保留第一接合层的位于第一焊盘层上的另一部分；提供第二半导体结构，第二半导体结构包括：第二衬底和在第二衬底中的第二焊盘层；在第二焊盘层上形成第二接合层；和将第一接合层与第二接合层相接合以将第一半导体结构与第二半导体结构对接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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