[发明专利]一种MWT组件用导电箔及其制备方法在审
| 申请号： | 202110443050.7 | 申请日： | 2021-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN113161428A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 张伟伦;孙明亮;逯好峰;吴仕梁;张凤鸣 | 申请（专利权）人： | 江苏日托光伏科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/02 | 分类号： | H01L31/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 徐晓鹭 |
| 地址： | 214028 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开一种MWT组件用导电箔及其制备方法，所述导电箔包括铝基金属层和非铝熔覆层，所述非铝熔覆层分布在铝基金属层与MWT电池的电极接触位置；其中，所述铝基金属层为铝或者铝合金箔；所述非铝熔覆层为金属熔覆层。该导电箔制备方法以铝基导电箔的主体为铝箔，铝箔表面只在需要和太阳能电池的电极接触的地方熔覆一层薄薄的其他金属层，大幅降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mwt 组件 导电 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
