[发明专利]一种半导体辐射探测器在审
| 申请号： | 202110436518.X | 申请日： | 2021-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN113204047A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 逄锦聪;赵杉;牛广达;唐江;金童;阮映枫 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24;H01L27/144;H01L31/115;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 许恒恒 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体辐射探测领域，公开了一种半导体辐射探测器，包括至少2组电极对，并且位于辐射响应区内的半导体材料，根据距辐射射线入射端面距离的不同被划分为多个厚度区域；每组电极对对应着某一个厚度区域，不同组电极对对应着不同的厚度区域；该半导体辐射探测器能够利用不同能量粒子在半导体材料中衰减程度的不同，通过不同组电极对收集不同目标能量粒子的辐射响应信号，从而实现能谱区分，实现多能谱探测。本发明通过采用不同于现有技术中已有的能谱区分方案，利用不同能量的高能辐射粒子对于材料的穿透能力不同这一特点，通过设置位于不同位置的电极对，能够探测不同深度上的探测信号，从而能够实现能谱区分、应用于多能谱探测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 辐射 探测器 | ||
【主权项】：
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