[发明专利]一种基于二维材料MoS2下的高性能可充电溴离子电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110435328.6 申请日: 2021-04-22
公开(公告)号: CN113140809B 公开(公告)日: 2022-05-10
发明(设计)人: 李明强;赵虎 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: H01M10/36 分类号: H01M10/36;H01M4/58;H01M10/38
代理公司: 大连理工大学专利中心 21200 代理人: 梅洪玉;刘秋彤
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 一种基于二维材料MoS2下的高性能可充电溴离子电池及其制备方法,属于电池领域。所述高性能溴离子电池通过一步水热法制备二硫化钼纳米花作为正极活性物质,锌箔作为负极,电解液溶质为溴酸钠,溶剂为乙二醇和水。本发明提出将二硫化钼纳米花作为溴离子电池正极材料,同时证明溴离子可以可逆高效的嵌入/脱嵌二硫化钼层间距中。通过添加有机溶剂乙二醇来构建乙二醇与水之间氢键的形成,改善锌负极腐蚀和避免析氢副反应的发生,有效的提高溴离子电池的比容量和稳定循环寿命。相比较传统溴基电池,主要为锌溴液流电池,该发明有效的解决了充放电过程中有毒气体溴单质的生成。不仅利用了溴高理论比容量等自身特点,还实现了绿色安全的离子电池。
搜索关键词: 一种 基于 二维 材料 mos2 性能 充电 离子 电池 及其 制备 方法
【主权项】:
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