[发明专利]使光生阴极保护适于低电位金属及其合金保护的方法在审
| 申请号： | 202110428189.4 | 申请日： | 2021-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN113088976A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 谢治辉;刘悦;杨光玲 | 申请（专利权）人： | 西华师范大学 |
| 主分类号： | C23F13/02 | 分类号： | C23F13/02;C25D11/26;C25D9/04;C23C18/31;C23C18/36 |
| 代理公司： | 成都方圆聿联专利代理事务所(普通合伙) 51241 | 代理人： | 苟铭 |
| 地址： | 637002*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种使光生阴极保护适于低电位金属及其合金保护的方法，包括以下步骤：需要保护低电位金属的前处理、高电位金属层的沉积、半导体膜的制备和PECCP的实现。本发明技术方案可延长高自腐蚀电位金属作为低自腐蚀电位金属物理保护屏障的时间，使PECCP技术用于低自腐蚀电位金属的防护，拓展PECCP技术应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 使光生 阴极保护 适于 电位 金属 及其 合金 保护 方法 | ||
【主权项】：
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