[发明专利]一种高线性度氮化镓射频器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202110427535.7 | 申请日： | 2021-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN113257890B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 刘胜厚;孙希国;蔡仙清;张辉 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/265;H01L29/20;H01L29/423;H01L29/47;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高线性度氮化镓射频器件及其制作方法，方法包括在半导体衬底上依次形成缓冲层、沟道层、势垒层；在势垒层上形成源极和漏极；通过若干次光刻工艺依次在有源区处的源极与漏极之间栅极区域的势垒层形成沿着栅宽方向M个离子注入区从势垒层的上表面至沟道层方向上的离子注入区的离子注入深度不规则排列；形成栅极。本发明氮化镓射频器件沿着栅宽方向M个离子注入区从势垒层的上表面至沟道层方向上的离子注入深度不规则排列，不同区域栅极具有不同关断电压，沿着栅宽方向形成不同的关断电压不规则排布，保证总体器件在开态漏极电流均匀分布的同时，实现器件跨导的平整性，使器件在射频工作时随着输入功率的增加，氮化镓射频器件增益保持不变，线性度提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 线性 氮化 射频 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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