[发明专利]一种PBN坩埚氧化预处理装置、方法及其应用在审
申请号: | 202110425330.5 | 申请日: | 2021-04-20 |
公开(公告)号: | CN113213971A | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | 吕新杨;易明辉;刘建忠;吴晓波;周铁军 | 申请(专利权)人: | 广东先导微电子科技有限公司 |
主分类号: | C04B41/87 | 分类号: | C04B41/87;C30B11/00;C30B29/42 |
代理公司: | 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 | 代理人: | 肖小龙 |
地址: | 511517 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明属于半导体材料制备技术领域,具体公开了一种PBN坩埚氧化预处理装置、方法及其应用,所述预处理装置包括:容纳PBN坩埚的石英安瓿,石英安瓿顶部开口,在顶部开口处设有相适配的密封盖,密封盖上设有进气孔,石英安瓿设有出气孔,进气孔和出气孔分别连通进气管和出气管;抽真空装置,抽真空装置与石英安瓿相连;加热装置,加热装置被设置为用于加热石英安瓿和进气管;供气装置,供气装置与进气管相连。在砷化镓单晶生长过程,本发明方法处理过的PBN坩埚只在内壁形成氧化层,在装料过程可以有效的降低氧化层与空气接触过程中吸收空气中的水分,有效防止长晶过程中的石英安瓿发生膨胀导致的长晶阶段导致加热装置及PBN坩埚损坏。 | ||
搜索关键词: | 一种 pbn 坩埚 氧化 预处理 装置 方法 及其 应用 | ||
【主权项】:
暂无信息
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