[发明专利]制备晶面择优取向氧化铟锡-氧化铟锌薄膜热电偶的方法有效

专利信息
申请号: 202110423947.3 申请日: 2021-04-20
公开(公告)号: CN113174569B 公开(公告)日: 2022-11-22
发明(设计)人: 罗炳威;周海涛;罗飞;刘大博;马可欣;田野 申请(专利权)人: 中国航发北京航空材料研究院
主分类号: C23C14/30 分类号: C23C14/30;C23C14/02;C23C14/08;C23C14/16;C23C14/35;C23C14/58;F01D5/28;G01K7/02
代理公司: 中国航空专利中心 11008 代理人: 仉宇
地址: 100095 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及制备晶面择优取向氧化铟锡‑氧化铟锌薄膜热电偶的方法,所述金属表面为曲面,包括步骤1、通过物理气相沉积工艺在金属工件表面沉积钇稳定的氧化锆YSZ结合涂层,将钇稳定的氧化锆YSZ粉末和Al2O3粉末通过物理气相沉积工艺沉积到金属工件表面;步骤2、通过磁控溅射工艺在结合涂层上制备晶面择优取向的薄膜热电偶,所述薄膜热电偶包括两个热电臂和两个电极;步骤3、具有所述薄膜热电偶的金属工件进行热处理,以释放材料界面之间的应力;步骤4、通过磁控溅射工艺在结合涂层上制备保护层,所述保护层为Al2O3材质覆盖所述的两个热电臂。本发明实现在金属表面快速沉积具有择优晶面取向的薄膜热电偶,对薄膜热电偶的稳定测温具有重要意义。
搜索关键词: 制备 择优取向 氧化 薄膜 热电偶 方法
【主权项】:
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