[发明专利]包含前侧热提取结构的功率放大器装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202110421618.5 | 申请日： | 2021-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN113555329A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 爱德华·克里斯蒂安·马雷斯;拉克希米纳拉扬·维斯瓦纳坦;戴维·詹姆斯·多蒂 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373;H01L21/50 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了功率放大器装置和用于制造包含前侧热提取结构的功率放大器装置的方法。在实施例中，所述功率放大器装置包括基板、键合到所述基板的管芯支撑表面的射频(RF)功率管芯，以及进一步附接到所述管芯支撑表面的前侧热提取结构。所述前侧热提取结构又包括与所述RF功率管芯的前侧直接热接触的晶体管覆盖部分、热耦合到所述基板的散热区的第一散热耦合部分，以及从所述晶体管覆盖部分延伸到所述第一散热耦合部分的主要热提取路径。所述主要热提取路径促进从所述RF功率管芯到所述散热区的热传导并且在所述功率放大器装置的工作期间降低所述RF功率管芯的晶体管沟道内的局部温度。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 前侧热 提取 结构 功率放大器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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