[发明专利]切片硅异质结电池及制备方法、太阳能电池组件在审
| 申请号： | 202110417599.9 | 申请日： | 2021-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN113206009A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 王文静;徐晓华;龚道仁;姚真真 | 申请（专利权）人： | 安徽华晟新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/324;H01L31/075;H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718 | 代理人： | 彭一波;张奕轩 |
| 地址： | 242074 安徽省宣城市宣城经*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及切片硅异质结电池及其制备方法、太阳能电池组件。该制备方法，包括对整片异质结电池进行切割的步骤，还包括：对切割后形成的切片硅异质结电池主体进行如下处理：将切片硅异质结电池主体置于氛围气体中，采用光注入退火方式在设定温度范围内，利用光源对且仅对切片硅异质结电池主体的切割表面进行处理；其中，切片硅异质结电池主体至少包括晶硅基底、本征非晶硅层、掺杂非晶硅层、透明导电层和栅电极。该制备方法有效钝化切割侧表面的缺陷，降低载流子的复合，提高电池的放电效率，从而将现有技术中因激光切片技术导致切割侧面出现损伤造成的0.3％的电池效率降低，修复为使得电池效率的仅降低0.15％左右。 | ||
| 搜索关键词： | 切片 硅异质结 电池 制备 方法 太阳能电池 组件 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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