[发明专利]一种利用弯曲应力实现p型掺杂氧化镓的制备方法有效
| 申请号： | 202110414322.0 | 申请日： | 2021-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN113223927B | 公开（公告）日： | 2023-02-10 |
| 发明（设计）人： | 陆小力;马晓华;何云龙;章舟宁;杨凌;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用弯曲应力实现p型掺杂氧化镓的制备方法，包括步骤：S1、在牺牲层上生长氧化镓，形成氧化镓层；S2、将所述氧化镓层转移到弯曲衬底上，使所述氧化镓层形成弯曲状；S3、将所述氧化镓层与所述弯曲衬底进行键合；S4、对弯曲后的所述氧化镓层进行掺杂，得到p型掺杂氧化镓。该制备方法将氧化镓层转移到弯曲衬底上，使得氧化镓层也形成弯曲状，弯曲可以使得氧化镓的带隙变小，从而有利于制备得到p型掺杂的氧化镓。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 弯曲应力 实现 掺杂 氧化 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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