[发明专利]一种高效背反射晶体硅异质结太阳电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110413537.0 申请日: 2021-04-16
公开(公告)号: CN113140640B 公开(公告)日: 2022-11-29
发明(设计)人: 张丽平;姚宇波;刘正新;刘文柱;石建华 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/0747;H01L31/20
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 宋丽荣
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种高效背反射晶体硅异质结太阳电池,其包括异质结主体结构和背反射结构,异质结主体结构包括作为吸收层的n型晶体硅衬底,其具有对称结构的窗口层和背场层;背场TCO薄膜连接在n型晶体硅衬底的背场层,背反射结构包括第一介电薄膜和第一金属薄膜,第一介电薄膜沉积在背场TCO薄膜上,第一金属薄膜沉积在第一介电薄膜上。本发明还涉及一种高效背反射晶体硅异质结太阳电池的制备方法。根据本发明的高效背反射晶体硅异质结太阳电池可以提升异质结主体结构的短路电流密度和提高转换效率,使得高效背反射晶体硅异质结太阳电池对长波段的光谱响应明显增加,减少自然光的吸收损失,从而获得更高的转换效率。
搜索关键词: 一种 高效 反射 晶体 硅异质结 太阳电池 及其 制备 方法
【主权项】:
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