[发明专利]一种高效背反射晶体硅异质结太阳电池及其制备方法有效
申请号: | 202110413537.0 | 申请日: | 2021-04-16 |
公开(公告)号: | CN113140640B | 公开(公告)日: | 2022-11-29 |
发明(设计)人: | 张丽平;姚宇波;刘正新;刘文柱;石建华 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0747;H01L31/20 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 宋丽荣 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种高效背反射晶体硅异质结太阳电池,其包括异质结主体结构和背反射结构,异质结主体结构包括作为吸收层的n型晶体硅衬底,其具有对称结构的窗口层和背场层;背场TCO薄膜连接在n型晶体硅衬底的背场层,背反射结构包括第一介电薄膜和第一金属薄膜,第一介电薄膜沉积在背场TCO薄膜上,第一金属薄膜沉积在第一介电薄膜上。本发明还涉及一种高效背反射晶体硅异质结太阳电池的制备方法。根据本发明的高效背反射晶体硅异质结太阳电池可以提升异质结主体结构的短路电流密度和提高转换效率,使得高效背反射晶体硅异质结太阳电池对长波段的光谱响应明显增加,减少自然光的吸收损失,从而获得更高的转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 高效 反射 晶体 硅异质结 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的