[发明专利]一种磁存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110406826.8 | 申请日： | 2021-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN113299822B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 彭文林;刘峻;杨海波;付志成;刘广宇 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/80;H10N50/01 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 邵磊;张颖玲 |
| 地址： | 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种磁存储器，包括：依次堆叠的自旋轨道耦合层、插入层和磁隧道结；所述自旋轨道耦合层用于产生自旋极化载流子；所述磁隧道结包括自由铁磁层；且所述自由铁磁层与所述插入层相邻；其中，所述插入层具有面内磁各向异性且所述插入层的易磁化轴与所述自旋轨道耦合层的自旋极化载流子的极化方向大致平行。所述插入层在所述磁存储器中起到了自旋流开关的作用，可以有效地降低非写入状态下漏电流对磁隧道结的影响，保护已存储的信息，提高器件的稳定性。另外，采用具有面内磁各向异性的材料作为插入层，可以实现无外加辅助场下自由铁磁层的磁化翻转，有助于器件的微型化和功耗的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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