[发明专利]相变存储器的制备方法、制备的控制方法以及相变存储器有效
| 申请号： | 202110405089.X | 申请日： | 2021-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN113517395B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 骆金龙 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H10B63/10 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 张李静;张颖玲 |
| 地址： | 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例公开了一种相变存储器的制备方法、制备的控制方法以及相变存储器。所述相变存储器的制备方法包括：形成覆盖基底表面的第n个第一导电材料层；其中，n为自然数；形成覆盖第n个所述第一导电材料层的第n个第二导电材料层；在形成第n个所述第二导电材料层的同时，第n个所述第二导电材料层的组成粒子轰击第n个所述第一导电材料层，以使至少部分第n个所述第一导电材料层的组成粒子进入所述基底内并形成粘接层；其中，所述第一导电材料层与所述第二导电材料层的组成粒子相同；形成覆盖所述第二导电材料层的相变存储单元；其中，所述粘接层，用于增大所述第二导电材料层与所述基底之间的附着力。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 制备 方法 控制 以及 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江先进存储产业创新中心有限责任公司，未经长江先进存储产业创新中心有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110405089.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
