[发明专利]一种浅沟槽隔离结构、半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110400466.0 | 申请日： | 2021-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN115223921A | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 金炫昌;刘金彪;刘青;王垚;杨涛;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 史晶晶 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于PMOS区域的浅沟槽隔离结构、半导体结构及其形成方法。一种用于PMOS区域的浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成浅沟槽；在所述浅沟槽的内壁和底壁上依次堆叠形成第一氧化硅膜、氮化硅膜；去除所述浅沟槽的底壁上的氮化硅膜；然后在所述浅沟槽内的剩余空间内填充第二氧化硅膜，形成浅沟槽隔离结构。本发明通过去除沟槽底部的氮化硅衬垫，阻断热电子的流通路线，从而避免了PMOS的热电子感应穿通效应，提高器件良率以及延长器件使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 隔离 结构 半导体 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
