[发明专利]一种二碲化钨纳米带的制备方法有效
| 申请号： | 202110398528.9 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN112938909B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 郝国林;何艳兵;陈涛;周国梁 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 湘潭市汇智专利事务所(普通合伙) 43108 | 代理人： | 冷玉萍 |
| 地址： | 411105 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种二碲化钨纳米带的制备方法。首先将基底的抛光面朝上放置在石墨片上，再将经过氧化处理的钨箔盖在硅片上，基底与钨箔之间放置垫片，以形成类“三明治”结构的微反应腔。本发明在采用空间限域策略的基础上，同时对反应前驱体进行了设计，用氧化处理的钨箔提供钨源，实现了二碲化钨纳米带的可控制备。通过控制钨箔在高温下的氧化时间，实现了二碲化钨纳米带尺寸与形貌的有效调控。同时实现了在蓝宝石、云母、玻璃等不同基底上二碲化钨纳米带的可控生长。本发明能够实现大面积WTe |
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| 搜索关键词： | 一种 二碲化钨 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
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