[发明专利]MEMS器件真空封装结构及其制造工艺在审
| 申请号： | 202110397529.1 | 申请日： | 2021-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN113044802A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 邢维巍;姚远;樊尚春 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 严小艳 |
| 地址： | 100000*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种MEMS器件真空封装结构及其制造工艺，该MEMS器件真空封装结构包括：密封盖，密封盖上设置有贯穿其正面和反面的通孔，通孔的孔壁设置第一导电层，密封盖的正面和反面分别设置有第二导电层，第二导电层均与所述第一导电层电接触；硅衬底；MEMS结构，用于输出电信号；导电体，分别与第二导电层和MEMS结构电接触；过渡结构，分别与密封盖的反面及硅衬底键合连接，以形成真空密封空间；该封装结构采用了电连接通道纵向穿越密封盖的方式采用了电连接通道纵向穿越密封盖的方式，以及过渡结构分别与密封盖的反面及硅衬底键合连接形成真空密封空间，缩小了整体的体积，结构紧凑密集，利于系统元件之间的封装。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 真空 封装 结构 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】：
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