[发明专利]阵列基板及其制备方法和显示装置有效
申请号: | 202110392470.7 | 申请日: | 2021-04-13 |
公开(公告)号: | CN113113431B | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 林亮;邹志翔;陈川;张新霞 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/417;H01L29/423;H01L21/84;H01L21/28;H01L21/44;G09F9/35 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 肖阳 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明涉及阵列基板及其制备方法和显示装置。所述阵列基板包括基板,基板包括非显示区和显示区;位于非显示区的基板上设置有薄膜晶体管和有机膜层,有机膜层位于薄膜晶体管远离基板的一侧,薄膜晶体管包括栅极、有源层、位于栅极以及有源层之间的栅绝缘层,源漏极、和第一钝化层;所述阵列基板满足以下条件的至少之一:(1)以下结构的至少之一在所述基板上的正投影未延伸至所述显示区:所述有机膜层、所述栅绝缘层以及所述第一钝化层;(2)所述栅绝缘层、所述第一钝化层中的至少之一满足:消光系数小于0.005。由此,本发明通过移除位于显示区中不需要的层状结构,或者通过提高位于显示区的膜层透过率,提高了阵列基板显示区的透过率。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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