[发明专利]探测器互连结构的制备方法和探测器有效
| 申请号: | 202110390396.5 | 申请日: | 2021-04-12 |
| 公开(公告)号: | CN113314555B | 公开(公告)日: | 2022-09-06 |
| 发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 北京智创芯源科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 吴大建;陈敏 |
| 地址: | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明公开了一种探测器互连结构的制备方法和探测器,方法包括:根据探测芯片上每个探测元电极的高度,确定与每个探测元电极对应的探测器互联结构的高度;根据每个探测器互联结构的高度和读取芯片上每个探测器互联结构对应的读取电极的尺寸,确定与每个探测元电极对应的曝光参数,在涂敷光刻胶的信号读取芯片上形成与每个曝光参数相对应的曝光区,沉积探测器互连结构对应的互连材料,得到探测器互连结构膜,并回流成形,得到探测器互连结构,实现了针对不同高度的探测元电极制作不同高度的探测器互联结构,消除了探测芯片不同高度的探测元电极之间的高度差,无需再设置爬坡电极和延长电极,提高了探测器可靠性、探测器的工艺成品率。 | ||
| 搜索关键词: | 探测器 互连 结构 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京智创芯源科技有限公司,未经北京智创芯源科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110390396.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:语音处理方法、电子设备及存储装置
- 下一篇:一种设置在床体内部的可升降枕头
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





