[发明专利]集成电路以及静电放电保护的方法在审
| 申请号： | 202110380845.8 | 申请日： | 2021-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN113675185A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 彭柏霖;苏郁迪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 集成电路包括输入/输出(I/O)焊盘、静电放电(ESD)初级电路和偏置电压发生器。静电放电初级电路包括第一晶体管。第一晶体管的第一端子耦合到I/O焊盘。偏置电压发生器配置为向第一晶体管的栅极端子提供栅极偏置信号。响应于在I/O焊盘上发生ESD事件，偏置电压发生器提供处于第一电压电平的栅极偏置信号。偏置电压发生器响应于在I/O焊盘上没有发生ESD事件而提供处于第二电压电平的栅极偏置信号。第一电压电平低于第二电压电平。本发明的实施例还涉及静电放电保护的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 以及 静电 放电 保护 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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