[发明专利]多层堆叠封装结构和多层堆叠封装结构的制备方法有效
| 申请号： | 202110375257.5 | 申请日： | 2021-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN112768443B | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 吴春悦;何正鸿 | 申请（专利权）人： | 甬矽电子（宁波）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 刘曾 |
| 地址： | 315400 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种多层堆叠封装结构和多层堆叠封装结构的制备方法，涉及芯片封装领域，该多层堆叠封装结构包括基板、第一基底芯片、第二基底芯片、多个第一结构芯片、多个第二结构芯片和塑封体，第一基底芯片和第二基底芯片对称贴装，同时多个第一结构芯片螺旋堆叠形成第一螺旋结构，多个第二结构芯片螺旋堆叠形成第二螺旋结构，使得多个第一结构芯片和多个第二结构芯片旋转且错位向上堆叠，通过采用中心对称和螺旋堆叠的方式，使得在第一基底芯片上能够同时堆叠多个第二结构芯片，提高了堆叠数量，降低了封装尺寸，并且螺旋错位的堆叠方式也有利于结构的散热和打线，同时也保证了结构的稳定性，增加了产品的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 堆叠 封装 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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