[发明专利]一种复合衬底、其制备方法及半导体器件有效
| 申请号： | 202110364992.6 | 申请日： | 2021-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN112736173B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 至芯半导体（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭随丽 |
| 地址： | 311200 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明提供一种复合衬底、制备方法及半导体器件，所述复合衬底包括：基底，所述基底上表面靠近中间位置形成一凹槽；SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 复合 衬底 制备 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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