[发明专利]半导体器件和制造方法在审
| 申请号： | 202110362556.5 | 申请日： | 2021-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN113257667A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 杨崴翔;游明华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/417;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 陈蒙 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开涉及半导体器件和制造方法。本文描述了半导体器件以及形成半导体器件的方法。一种方法包括在衬底中形成第一鳍和第二鳍。低浓度源极/漏极区域被外延生长在第一鳍之上和第二鳍之上。低浓度区域的材料具有小于50％的锗体积。高浓度接触件着陆区域被形成在低浓度区域之上。高浓度接触件着陆区域的材料具有至少50％的锗体积。高浓度接触件着陆区域在低浓度源极/漏极区域的顶表面之上具有至少1nm的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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