[发明专利]半导体元件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110357952.9 | 申请日： | 2021-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN113097132A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 彭士玮;曾健庭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体元件及其制造方法，半导体元件包括单元。单元包括主动区、栅极、至少一个栅极通孔及至少一个接触通孔。主动区包括禁区。栅极跨主动区设置。至少一个栅极通孔与栅极中的一者耦接。至少一个接触通孔与至少一个导电区段耦接，导电区段各自对应于晶体管的源极/漏极。在布局视图中，禁区中的一者抵靠抵靠单元的一区域，区域中设置抵靠单元的栅极通孔或接触通孔中的至少一者。在布局视图中，至少一个栅极通孔或至少一个接触通孔中的至少一者布置在主动区内且在禁区外侧。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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